一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111222796.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113957537A | 公开（公告）日 | 2022-01-21 |
| 申请公布号 | CN113957537A | 申请公布日 | 2022-01-21 |
| 分类号 | C30B29/42（2006.01）I;C30B13/16（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 韩家贤;王顺金;韦华;赵兴凯;陈娅君;何永彬;柳廷龙;刘汉保;黄平;陈飞鸿;李国芳 | 申请（专利权）人 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董昆生 |
| 地址 | 650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种VB法与VGF法结合快速生长低位错砷化镓单晶的生长装置，由炉体、石墨底座、PBN坩埚和提升装置组成；所述炉体包括6个加热区域和控制加热区域温度的6个温控装置，从下到上依次为第一区、第二区、第三区、第四区、第五区和第六区；石墨底座通过支撑底座设置于地面上；PBN坩埚设置于石英安瓶内，石英安瓶设置于石墨底座上；提升装置与炉体连接，能够拉动炉体以一定的拉速提升；炉体与PBN坩埚之间设置有石英罩，石英罩与支撑底座连接。不但能生长超低位错的晶体，而且放肩时间缩短20%，等径生长时间缩短50%，大大提高了生长效率。 |
