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一种VGF法生长磷化铟单晶的方法

基本信息

申请号 CN202110802948.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113638048A 公开（公告）日 2021-11-12
申请公布号 CN113638048A 申请公布日 2021-11-12
分类号 C30B29/40（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 包文瑧;柳廷龙;赵兴凯;普世坤;何永彬;叶晓达;祝永成;权忠朝 申请（专利权）人 云南鑫耀半导体材料有限公司
代理机构 昆明祥和知识产权代理有限公司 代理人 刘敏
地址 650000云南省昆明市高新区电子工业标准厂房A栋1楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于磷化铟单晶制备领域，具体公开一种VGF法生长磷化铟单晶的方法，包括以下步骤：采用VGF法，将原料放入坩埚内并组装单晶生长炉，进行高温退火处理；升温熔料，在加热控制程序中设置加热目标值进行加热和加压；熔种生长，设置生长温度，待籽晶熔融长度达到10‑15mm，进行转肩生长时，坩埚位置开始下降，下降速度不大于2.5mm/h，生长结束后自动停止埚位下降；降温退火，生长结束后自动进入降温退火，温度降至350°后排空炉内气压，待炉内温度降至约150°后打开炉门，获取单晶，本发明增加了拉速方法，使得磷化铟单晶在生长过程中的热场更均匀，垂直定向结晶更平稳，生长出的磷化铟单晶更多，晶体合格率更高。