一种原位生长高长径比莫来石晶须的制备方法
基本信息
申请号 | CN201910899448.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110468453B | 公开(公告)日 | 2019-11-19 |
申请公布号 | CN110468453B | 申请公布日 | 2019-11-19 |
分类号 | C30B29/34(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 何飞;李文洁;杨立娟;宋大君;于明;王林;李宏博;朱振;李明伟;赫晓东 | 申请(专利权)人 | 哈工大(北京)工业技术创新研究院有限公司 |
代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 哈工大(北京)军民融合创新研究院有限公司;哈尔滨工业大学 |
地址 | 101300北京市顺义区临空经济核心区融慧园6号楼2-35 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种原位生长高长径比莫来石晶须的制备方法,涉及一种莫来石晶须的制备方法。本发明是要解决现有的制备莫来石晶须的方法大多需要高温(>900℃)烧制,且长径比较低的技术问题。本发明:一、铝溶胶的制备;二、硅溶胶的制备;三、水热;四、冷冻和冷冻干燥;五、热处理。本发明的水热体系中可形成纳米级纤维状物质,可降低热处理过程中莫来石晶须生长所需要的能量,进而降低莫来石晶须的制备温度;本发明通过水热与热处理制备的莫来石晶须,可在低反应温度下制备出高长径比的莫来石晶须的;本发明的制备方法具有反应温度低、重复性好、产率高等优点。 |
