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磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片

基本信息

申请号 CN201510083673.2 申请日 -
公开（公告）号 CN104711675B 公开（公告）日 2017-11-10
申请公布号 CN104711675B 申请公布日 2017-11-10
分类号 C30B29/06(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 田达晰;马向阳;李刚;何永增;郑铁波;梁兴勃;陈华;王震 申请（专利权）人 浙江金瑞泓科技股份有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 林松海
地址 315800 浙江省宁波市宁波保税区0125-3地块
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片。磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶，磷作为主要掺杂元素，砷、锑中的一种或二种作为辅助掺杂元素，所述的磷的浓度大于等于4.6×1019/cm3,在掺杂元素中占比大等于60%，辅助掺杂元素在掺杂元素中的占比为0.1%‑40%。本发明能消除或显著减少硅外延片中因晶格失配引起的滑移线的N型重掺直拉硅单晶，可以有效减少或消除在由高掺杂浓度的N型重掺直拉硅单晶加工的抛光片上生长外延层时产生的失配位错线缺陷；且在解决该问题的同时不会产生在高温过程后半导体器件过渡区变宽的问题；改变了业界惯例即在硅单晶中磷砷锑中的多种不能同时作为掺杂剂。