新型LED芯片的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201410517850.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104362226A | 公开（公告）日 | 2015-02-18 |
| 申请公布号 | CN104362226A | 申请公布日 | 2015-02-18 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高俊民;许键;吴伟东;李爱玲;成涛;王占伟;于海莲 | 申请（专利权）人 | 山东成林光电技术有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 257091 山东省东营市东城东四路与北二路交叉口向南100米路西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型LED芯片的制作方法，包括MESA光刻和NP光刻，MESA光刻为对外延片表面蒸镀ITO层后涂光刻胶再进行MESA光刻形成具有MESA图层的光刻胶层，然后对ITO层进行ITO蚀刻以及对外延片表面进行向下蚀刻；最后去除具有MESA图层的光刻胶层；NP光刻具体为在ITO层和N-GaN层台阶上蒸镀SiO2层后涂布光刻胶，再对光刻胶层进行NP光刻形成具有NP图层的光刻胶层；然后对所述SiO2层进行蚀刻；再然后在SiO2层蚀刻掉的区域形成P电极和N电极；最后去除所述具有NP图层的光刻胶层。本发明的方法有效降低生产成本，缩短生产周期，提高良品率。 |
