一种LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN201420572069.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204230286U | 公开（公告）日 | 2015-03-25 |
| 申请公布号 | CN204230286U | 申请公布日 | 2015-03-25 |
| 分类号 | H01L33/40(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高俊民;许键;吴伟东;李爱玲;成涛;王占伟;于海莲 | 申请（专利权）人 | 山东成林光电技术有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 257091 山东省东营市东城东四路与北二路交叉口向南100米路西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种LED芯片，包括N型GaN层，设置于所述N型GaN层上的P型PaN层，所述N型GaN层上设有N电极，所述P型PaN层上设有P电极，所述N电极和P电极均是蒸镀的铬铂金。通过在N型GaN层上的N电极和P型PaN层上的P电极蒸镀的铬铂金，可提高所述N电极和P电极的电性稳定性，从而保证LED正常良好的使用。 |
