一种提高发光效率的LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN201420572054.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204230284U | 公开（公告）日 | 2015-03-25 |
| 申请公布号 | CN204230284U | 申请公布日 | 2015-03-25 |
| 分类号 | H01L33/36(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高俊民;许键;吴伟东;李爱玲;成涛;王占伟;于海莲 | 申请（专利权）人 | 山东成林光电技术有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 257091 山东省东营市东城东四路与北二路交叉口向南100米路西 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种提高发光效率的LED芯片，其特征在于：包括基底，设于所述基底上的N型GaN层，设置于所述N型GaN层上的P型GaN层，所述N型GaN层上设有N电极，所述P型GaN层上设有P电极，所述P电极与所述P型GaN层之间设有ITO导电层，所述P电极与所述P型GaN层通过所述ITO导电层实现欧姆接触，所述ITO导电层的厚度是2300A。通过在所述P电极与所述P型GaN层之间设有厚度是2300A的ITO导电层而欧姆接触，可提高LED发光率的同时简化操作工艺，降低生产成本。 |
