ITO的完整蚀刻方法及LED芯片制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

ITO的完整蚀刻方法及LED芯片制作方法

基本信息

申请号	CN201410517689.5	申请日	-
公开（公告）号	CN104347772B	公开（公告）日	2017-06-20
申请公布号	CN104347772B	申请公布日	2017-06-20
分类号	H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	吴伟东;高俊民;成涛;王占伟;于海莲	申请（专利权）人	山东成林光电技术有限责任公司
代理机构	-	代理人	-
地址	257091 山东省东营市东城东四路与北二路交叉口向南100米路西
法律状态	-

摘要

公开了一种 ITO的完整蚀刻方法，包括步骤：对蒸镀在形成台阶的P‑GaN层和N‑GaN层表面的ITO层进行第一次蚀刻，从而将没有光刻胶覆盖的N‑GaN层正表面的ITO层去除，并同时在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面形成生成物；使用TMAH溶液对一次蚀刻中形成在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的生成物去除；对经过一次TMAH后的P‑GaN层和N‑GaN层表面的ITO层进行第二次蚀刻，从而将残留在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的ITO层去除，并在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面形成生成物；以及使用TMAH溶液对二次蚀刻中形成在P‑GaN层和N‑GaN层之间的过渡区域蚀刻表面的生成物去除。