IGBT器件
基本信息
| 申请号 | CN201980091300.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113748520B | 公开（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申请公布号 | CN113748520B | 申请公布日 | 2022-05-31 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚轶;王睿;刘伟;袁愿林;王鑫 | 申请（专利权）人 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢515室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供的一种IGBT器件，包括位于n型漂移区（21）顶部的p型体区（22），位于所述p型体区（22）内的第一n型发射极区（23）；位于所述p型体区（22）之上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层（24）以及位于所述第一栅介质层（24）之上的第一栅极（26）和n型浮栅（25），且在横向上，所述n型浮栅（25）位于靠近所述n型漂移区（21）的一侧，所述第一栅极（26）位于靠近所述第一n型发射极区（23）的一侧并延伸至所述n型浮栅（25）之上，介于所述n型浮栅（25）和所述第一栅极（26）之间的绝缘介质层（27）；位于所述第一栅介质层（24）中的一个开口（28），所述n型浮栅（25）通过所述开口（28）与所述p型体区（22）接触形成p‑n结二极管。 |
