碳化硅器件
基本信息
| 申请号 | CN202011280134.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512531A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114512531A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚轶;刘磊;刘伟;王睿 | 申请（专利权）人 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅器件，包括：位于所述碳化硅衬底内且交替间隔设置的栅极沟槽和源极沟槽；位于栅极沟槽的栅极，栅极通过第一绝缘层与第二n型碳化硅层隔离，栅极通过第二绝缘层与p型半导体层和第三n型半导体层隔离；位于源极沟槽内的源极，源极与p型碳化硅层和第三n型碳化硅层连接，源极通过第三绝缘层与源极沟槽的侧壁位置处的第二n型碳化硅层隔离；位于第二n型碳化硅层内且位于源极沟槽底部位置处的p型阱区，p型阱区与源极在源极沟槽的底部位置相连接。本发明可以降低栅极被击穿的风险，并提高碳化硅器件的耐压。 |
