半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202011281570.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512532A | 公开（公告）日 | 2022-05-17 |
| 申请公布号 | CN114512532A | 申请公布日 | 2022-05-17 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/08（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚轶;刘伟;刘磊;袁愿林 | 申请（专利权）人 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 215123江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：位于栅极沟槽的下部内的第一导电层，第一导电层通过第一绝缘层与第二n型半导体层隔离，位于栅极沟槽的上部内的第二导电层，第二导电层通过第二绝缘层与p型半导体层、第三n型半导体层和第一导电层隔离；位于源极沟槽内的第三导电层，第三导电层与p型半导体层和第三n型半导体层连接，第三导电层通过第三绝缘层与源极沟槽的侧壁位置处的第二n型半导体层隔离；位于第二n型半导体层内且位于源极沟槽底部位置处的p型阱区，p型阱区与第三导电层在源极沟槽的底部位置相连接。本发明可以降低栅极被击穿的风险，并提高半导体器件的耐压。 |
