半导体超结器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010372375.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113628969B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN113628969B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟;刘磊;王睿;龚轶 | 申请（专利权）人 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215200 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：先在第一沟槽的栅极区域内形成栅极，再以覆盖栅极侧壁的绝缘侧墙和硬掩膜层为掩膜刻蚀n型外延层，在n型外延层内形成第二沟槽，然后在第一沟槽和第二沟槽内形成p型柱。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱时只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。 |
