半导体超结器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010372056.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113628968B | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN113628968B | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘伟;袁愿林;徐真逸;龚轶 | 申请（专利权）人 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 215200 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：先通过外延工艺形成p型柱，然后再自对准的形成栅极。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱时只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。 |
