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一种功率模块倒装芯片垂直堆叠结构

基本信息

申请号	CN202120681743.5	申请日	-
公开（公告）号	CN214336714U	公开（公告）日	2021-10-01
申请公布号	CN214336714U	申请公布日	2021-10-01
分类号	H01L25/18（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	朱文辉;孙国辽;汪炼成;彭程	申请（专利权）人	长沙安牧泉智能科技有限公司
代理机构	长沙轩荣专利代理有限公司	代理人	丛诗洋
地址	410000湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种功率模块倒装芯片垂直堆叠结构，包括IGBT芯片、二极管芯片、铜片、Spacer层、DBC基板、接线端子，所述IGBT芯片设于所述二极管芯片下方，所述IGBT芯片下端设有连接层；所述铜片上下两端设置的第一纳米银烧结层与第二纳米银烧结层分别与所述二极管芯片的下端面、所述IGBT芯片的上端面联结；所述Spacer层上下两端分别设有焊料层和第三纳米银烧结层，所述Spacer层通过所述第三纳米银烧结层与所述二极管芯片上端面联结；所述DBC基板与焊料层、连接层的外端面联接；所述接线端子分别与所述DBC基板及铜片联接并穿出设置的塑封。本实用新型将IGBT芯片倒装并与二极管芯片堆叠，可进一步缩小电源封装模块体积，并进一步提高功率密度。