一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN202110671175.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113408227A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113408227A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | G06F30/3308（2020.01）I;G06F30/20（2020.01）I;G06F119/14（2020.01）N | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 朱文辉;王峰;吴厚亚 | 申请（专利权）人 | 长沙安牧泉智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙轩荣专利代理有限公司 | 代理人 | 李崇章 |
| 地址 | 410000湖南省长沙市长沙高新开发区岳麓西大道1698号麓谷高层次人才创新创业园C栋二楼东 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于集成电路三维封装领域，具体涉及一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统。该方法包括：对电极进行预处理；配置电镀基础液和待测试添加剂，并将稀释后的电镀基础液注入五口电解池；连接电解池电路，在不同电势作用下采用计时安培法测量添加剂加入前后电镀基础液的电流‑时间曲线；根据所述电流‑时间曲线对电流密度进行归一化处理，获得所述添加剂的覆盖率；拟合不同电势下添加剂覆盖率随添加剂浓度的变化规律，并根据添加剂的吸附动力学构建本构方程，本发明实验步骤简单，成本低，且获得的本构模型可靠性高。 |
