一种沟槽MOSFET的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010946784.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112038236A | 公开（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申请公布号 | CN112038236A | 申请公布日 | 2020-12-04 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 地址 | 518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽MOSFET的制造方法，包括以下步骤：步骤S1：在N型衬底的表面形成N型外延层；步骤S2：在N型外延层的表面注入硼原子，并在N型外延层上形成沟槽；步骤S3：对沟槽采用高温氧化工艺，硼原子在高温氧化工艺中发生热扩散形成N型掺杂区；步骤S4：淀积多晶硅，去除沟槽之外的多晶硅；步骤S5：在N型掺杂区的表层中注入硼原子，对预设区域的N型掺杂区的表层中注入砷原子和/或锑原子；步骤S6：采用高温退火工艺形成P型扩散区和N型扩散区。本发明提供的沟槽MOSFET的制造方法具有更小的单位面积导通电阻、更高的击穿电压等优点。 |
