一种沟槽MOSFET结构
基本信息
| 申请号 | CN202022101136.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213026140U | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN213026140U | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 叶垚平;李立 |
| 地址 | 518049广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽MOSFET结构，包括衬底和外延层，所述外延层设置在所述衬底上，所述外延层上设置有沟槽、栅氧化层和多晶硅，所述栅氧化层设置在所述沟槽的表面，所述多晶硅设置在所述栅氧化层的表面且所述多晶硅填充沟槽，所述外延层的表层设置有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区设置在所述沟槽的外表面，所述第一掺杂区与栅氧化层的间隔距离等于第二掺杂区的宽度，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度。本实用新型提供的沟槽MOSFET的结构具有更小的单位面积导通电阻、成本更低等优点。 |
