集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET
基本信息
| 申请号 | CN201921264319.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210443554U | 公开（公告）日 | 2020-05-01 |
| 申请公布号 | CN210443554U | 申请公布日 | 2020-05-01 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/8249;H01L21/336;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘光燃 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京久维律师事务所 | 代理人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开一种集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET，其以两层多晶硅、更低成本的方法制程实现，在本实用新型形成MOSFET屏蔽栅的多晶硅，和形成MOSFET的ESD保护二极管的多晶硅，是同一层多晶硅(第一层多晶硅)，而形成MOSFET的栅极的多晶硅，是第二层多晶硅；整个制造流程中只需要两层多晶硅方法，即可实现集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET之器件结构，比传统方法减少了一层多晶硅，实现方法更简单，降低了制造复杂度和方法成本，现对于现有技术具有重大进步。 |
