一种沟槽MOSFET结构
基本信息
| 申请号 | CN202022178434.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213366603U | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN213366603U | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 叶垚平;李立 |
| 地址 | 518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种沟槽MOSFET结构，包括衬底和外延层，所述外延层设置在所述衬底上，所述外延层中设置有沟槽、氧化层以及多晶硅，所述氧化层设置在所述沟槽中，所述多晶硅设置在所述氧化层的表面且所述多晶硅填充所述沟槽，所述氧化层包覆所述多晶硅，所述外延层的表面设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区和第三掺杂区设置在所述第一掺杂区的表面，所述第三掺杂区设置在相邻的所述第二掺杂区之间，所述氧化层的上表面、第二掺杂区的部分侧面、第二掺杂区的上表面、第三掺杂区的上表面设置有金属。本实用新型提供的沟槽MOSFET的结构具有更小的单位面积导通电阻、成本更低等优点。 |
