一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构

基本信息

申请号	CN202011005217.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112103187A	公开（公告）日	2020-12-18
申请公布号	CN112103187A	申请公布日	2020-12-18
分类号	H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8234;H01L23/48;H01L27/088;H01L29/36;H01L29/786	分类	基本电气元件;
发明人	潘光燃;胡瞳腾	申请（专利权）人	深圳市芯电元科技有限公司
代理机构	深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙）	代理人	深圳市芯电元科技有限公司
地址	518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构，包括以下步骤：步骤S4：淀积多晶硅，去除所述沟槽之外的多晶硅，去除所述第一氮化硅，在外延层中形成第一掺杂区，淀积所述第二氮化硅，刻蚀所述第二氮化硅，在所述多晶硅的侧壁形成侧墙；步骤S5：在第一掺杂区中注入硼原子或磷原子形成第二掺杂区，去除所述侧墙，刻蚀多晶硅使其上表面低于硅平面，在第一掺杂区中形成第三掺杂区，淀积介质层并去除设定区域的介质层即形成源区接触孔，淀积金属层并去除设定区域的金属即形成源极金属。本发明提供的提高沟槽MOSFET元胞密度的工艺方法及沟槽MOSFET结构具有更小的单位面积导通电阻、可实现更好的雪崩电流及其一致性等优点。