一种沟槽MOSFET的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010948833.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112053957A | 公开（公告）日 | 2020-12-08 |
| 申请公布号 | CN112053957A | 申请公布日 | 2020-12-08 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 地址 | 518049广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽MOSFET的制作方法，所述制作方法如下：在衬底的上表面生长外延层；在外延层之中形成沟槽；采用高温氧化的工艺方法在沟槽的表面生长栅氧化层，然后淀积多晶硅；去除掉沟槽之外的多晶硅，然后在外延层的表层之中注入硼原子，以及对预设区域的外延层的表层之中注入砷原子或(和)锑原子；高温退火形成P型扩散区和N型扩散区，且N型扩散区位于P型扩散区的表层之中；本发明的有益效果是：本发明减少了高温处理工艺，从而减小了高温处理工艺过程中衬底中的掺杂物质向外延层中的扩散，因此可以得到比现有技术更高的击穿电压，或在实现同样击穿电压的情况下可以得到更小的单位面积导通电阻。 |
