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一种沟槽MOSFET的制造方法及结构

基本信息

申请号	CN202011003657.5	申请日	-
公开（公告）号	CN112103185A	公开（公告）日	2020-12-18
申请公布号	CN112103185A	申请公布日	2020-12-18
分类号	H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/786	分类	基本电气元件;
发明人	潘光燃;胡瞳腾	申请（专利权）人	深圳市芯电元科技有限公司
代理机构	深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙）	代理人	深圳市芯电元科技有限公司
地址	518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET的制造方法及结构，包括以下步骤：步骤S1：在衬底的表面形成外延层；步骤S2：在外延层的表面形成硬掩膜，硬掩膜包括第一氧化层、第二氧化层和第一氮化硅，所述第一氧化层形成在所述外延层的表面，所述第一氮化硅形成在所述第一氧化层的表面，所述第二氧化层形成在所述第一氮化硅的表面；步骤S3：在所述外延层中形成沟槽，去除所述第二氧化层，在所述沟槽的表面生长栅氧化层；步骤S4：淀积多晶硅，去除所述沟槽之外的多晶硅，去除所述第一氮化硅，淀积所述第二氮化硅，刻蚀所述第二氮化硅，在所述多晶硅的侧壁形成侧墙；本发明提供的沟槽MOSFET的制造方法及结构具有更小的单位面积导通电阻、更高的击穿电压等优点。