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一种沟槽MOSFET的制造方法

基本信息

申请号	CN202011046235.6	申请日	-
公开（公告）号	CN112185893A	公开（公告）日	2021-01-05
申请公布号	CN112185893A	申请公布日	2021-01-05
分类号	H01L21/8234(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	潘光燃;胡瞳腾	申请（专利权）人	深圳市芯电元科技有限公司
代理机构	深圳市中融创智专利代理事务所（普通合伙）	代理人	深圳市芯电元科技有限公司
地址	518049广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET的制造方法，包括以下步骤：步骤S1：在衬底的表面形成外延层；步骤S2：在外延层的表面形成硬掩膜，硬掩膜包括氮化硅以及氧化硅，氮化硅设置在氧化硅的表面，在外延层之中注入硼原子；步骤S3：在外延层中形成沟槽，在沟槽的表面生长栅氧化层；步骤S4：淀积多晶硅，去除沟槽之外的多晶硅；步骤S5：在扩散区的侧面表层之中注入砷原子，在多晶硅的顶部生长氧化层，扩散区中的硼原子再次发生热扩散，形成第一掺杂区，砷原子发生热扩散形成第三掺杂区；步骤S6：去除氮化硅，注入硼原子形成第二掺杂区。本发明提供的一种沟槽MOSFET的制造方法具有更小的单位面积导通电阻、可实现更好的雪崩电流及其一致性等优点。