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一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法

基本信息

申请号	CN201911248924.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111101111A	公开（公告）日	2020-05-05
申请公布号	CN111101111A	申请公布日	2020-05-05
分类号	C23C16/24;C23C16/448;C30B25/16;C30B29/06	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	李慎重;杨德仁;马向阳;王震;田达晰;蒋玉龙;邓伟;张银光;梁兴勃	申请（专利权）人	金瑞泓微电子（衢州）有限公司
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所	代理人	王亮
地址	324000 浙江省衢州市绿色产业集聚区盘龙南路52号9幢
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法，包括氢气输入阀组和TCS气源钢瓶，TCS气源钢瓶与氢气输入阀组、TCS输入管和TCS输出管均相连，PLC控制器与TCS输入管上的常闭控制阀以及TCS气源钢瓶内的液位传感器相连。外延生长过程结束后，进行自动充料，启动PLC控制器，液位传感器检测液面，如果处于低液位，开启常闭控制阀进行充料，反复充料至液位达到固定液位，液位传感器探测到固定液位，在充料过程中完成第一片衬底硅片的取下、基座净化和第二片衬底硅片的安装。本发明采用新的控制系统及方法，充分延长充料时间，且增加充料频率、减少充料量以获得相对固定的液面，保证均匀的小气泡饱和浓度压力相对稳定。