一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法
基本信息
| 申请号 | CN201610041286.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105543951B | 公开（公告）日 | 2019-01-01 |
| 申请公布号 | CN105543951B | 申请公布日 | 2019-01-01 |
| 分类号 | C30B25/20;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 梁兴勃;王震;陈华;李慎重;杨盛聪;邬幸富;田达晰 | 申请（专利权）人 | 金瑞泓微电子（衢州）有限公司 |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人 | 黄志达 |
| 地址 | 315800 浙江省宁波市保税东区0125-3地块 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm‑300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得。本发明工艺简单，成本低，利用外延炉对硅单晶衬底片进行短时间的高温烘烤使表面COP数量减少或消除，并结合特定的外延生长工艺控制技术，制备得到了低缺陷密度的硅外延片。 |
