一种强锁存结构的D触发器电路
基本信息
| 申请号 | CN202110921437.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113472323A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113472323A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H03K3/3562（2006.01）I;H03K3/012（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 卢文娟;孙雨佳;朱志国;吕盼稂;彭春雨;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人 | 合肥海图微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立明;陈亮 |
| 地址 | 230601安徽省合肥市经济开发区九龙路111号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种强锁存结构的D触发器电路，包括依次连接的四个逻辑输入反相器、强锁存电路、两个传输门，强锁存电路包括两个NMOS晶体管，四个PMOS晶体管，左侧部分的晶体管依次串联，右侧部分的晶体管同样依次串联，两侧部分构成强锁存结构；PMOS晶体管PM6栅极与Q节点相连，PMOS晶体管PM8栅极与Q非节点相连，相互构成负反馈回路；强锁存电路接收四个逻辑输入反相器给进来的方波信号，并保存在Q和Q非节点，每次转换能减少左侧或右侧部分的电流从VDD流入GND，从而大大减少动态泄漏。上述电路解决了传统锁存器泄露功耗和信号翻转的过程中短路功耗大的问题，降低了整个芯片设计的功耗。 |
