一次性可编程存储单元阵列及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110258026.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102361030B | 公开（公告）日 | 2013-12-04 |
| 申请公布号 | CN102361030B | 申请公布日 | 2013-12-04 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人 | 广创芯（广州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人 | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司;广创芯（广州）科技有限公司 |
| 地址 | 410100 湖南省长沙市经济技术开发区三一路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一次性可编程存储单元阵列及其制造方法。该存储单元阵列，包括：形成在支撑衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的导电材料层的多个相互分离的条形部分；形成在所述导电材料层的多个相互分离的条形部分上以及所述条形部分之间的所述绝缘层的部分上的电介质层；以及形成在所述电介质层上的与所述导电材料层的多个相互分离的条形部分垂直的多晶硅或多晶硅锗层的多个相互分离的条形部分，所述导电材料层的每一个所述条形部分与所述多晶硅或多晶硅锗层的每一个所述条形部分的重叠之处形成有一个存储单元。 |
