一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列
基本信息
| 申请号 | CN201110219592.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102324428A | 公开（公告）日 | 2012-01-18 |
| 申请公布号 | CN102324428A | 申请公布日 | 2012-01-18 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;G11C17/14(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 | 申请（专利权）人 | 广创芯（广州）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人 | 长沙艾尔丰华电子科技有限公司;广创芯（广州）科技有限公司 |
| 地址 | 410100 湖南省长沙市长沙经济技术开发区管委会信息楼12楼（三一路2号） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本发明通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶体管。电容器包括：由形成在半导体衬底中的掺杂区域或者形成在绝缘衬底上的导电材料层形成的第一电极、所述电介质层和由第一多晶硅或多晶硅锗层形成的第二电极。MOS晶体管的有源层位于与所述第一电介质层采用相同的工艺同时形成在所述半导体衬底上或绝缘衬底上的第二电介质层上，并且所述有源层由与所述第一多晶硅或多晶硅锗层采用相同的工艺同时形成的第二多晶硅或多晶硅锗层形成。 |
