一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源

基本信息

申请号 CN201110026784.1 申请日 -
公开(公告)号 CN102117088B 公开(公告)日 2012-09-05
申请公布号 CN102117088B 申请公布日 2012-09-05
分类号 G05F1/56(2006.01)I 分类 控制;调节;
发明人 杨跃;林秀龙;宋勇 申请(专利权)人 四川永志融资担保有限公司
代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 代理人 梁田
地址 610000 四川省成都市成都高新区世纪城南路216号天府软件园D区6号楼14层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源,包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路、以及三个关断控制电路。本发明只包含NMOS管,PMOS管和电阻,没有三极管,电路结构和制备工艺都相对简单;第一基准产生电路和第二基准产生电路输出的基准用于分别保护芯片比较器关于过充电,过放电,过电流的保护基准,其温度系数低、功耗低;适用于CMOS工艺实现。