一种磁光克尔仪
基本信息
| 申请号 | CN98121930.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1101003C | 公开（公告）日 | 2003-02-05 |
| 申请公布号 | CN1101003C | 申请公布日 | 2003-02-05 |
| 分类号 | G02B27/00 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 陈良尧;郑玉祥;张荣君;夏国强;陈岳立;赵海斌;杨月梅 | 申请（专利权）人 | 上海复旦安正光子网络有限公司 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 姚静芳 |
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 已有的磁光克尔效应的测量设计方法均采用单只探测器，只能对材料的单区域进行单次测量。如要对材料的微区进行高密度的数据扫描测量，则测量的效率较低，不易实用。本发明采用了具有一定像素范围数目的CCD探测器，通过旋转检偏器，在不同检偏角位置连续获得完整的CCD信号，并通过快速富利埃分析，不仅可获得宏区的克尔效应，而且可获得高分辨率的微区分布的克尔效应，形成凝视式磁光克尔图象。采用本发明制造的凝视式磁光克尔仪，可提高效率5千至5万倍，并快速、准确获得各种磁结构。 |
