垂直式发光二极管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201410618495.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105633222B | 公开（公告）日 | 2018-05-15 |
| 申请公布号 | CN105633222B | 申请公布日 | 2018-05-15 |
| 分类号 | H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人 | 苏州医疗器械产业发展集团有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 汪飞亚 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州高新区科技城锦峰路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种垂直式发光二极管的制造方法，包括如下步骤：提供一基体，在基体的第一表面表面形成多个凸起；在所述凸起外表面形成一氮化铝层；加热氮化铝层，使氮化铝层结晶；将凸起从氮化铝层内脱离；在氮化铝层外成长缓冲层；在所述基体缓冲层上依次成长N‑GaN层、发光活性层和P‑GaN层，从而获得发光二极管磊晶结构；提供导电基板，将所述发光二极管磊晶结构粘结于所述导电基板上；提供分离板，将基体从上述发光二极管磊晶结构中分离；使用物理蚀刻的方式蚀刻缓冲层直至至n‑GaN层并在n‑GaN层上设置N电极。 |
