一种半导体功率器件及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种半导体功率器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN201810150695.X	申请日	-
公开（公告）号	CN108336130B	公开（公告）日	2021-08-24
申请公布号	CN108336130B	申请公布日	2021-08-24
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	储团结;王海韵;丛艳欣;李亚娜	申请（专利权）人	天津中科先进技术产业有限公司
代理机构	北京天奇智新知识产权代理有限公司	代理人	龙涛
地址	300392天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰发展六道3号星企一号创新工场研发中心301
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种半导体功率器件及其制作方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。其中，PN交替超结区由P+层与N+层纵向间隔交替排列，且N+区中央区的同侧的每相邻两个N+源区之间的P‑体区的侧面设置有第一N+层和第二N+层；以及N+区的中央区与侧边区之间设置有第三N+层。该技术方案缓解了现有技术存在的结构可靠性差的技术问题，保证了器件导通性能，提高了半导体功率器件的纵向变形的承受强度，增加了半导体功率器件的弯曲程度耐受能力，使其在承受机械变形时免遭破坏，提高了器件结构的可靠性，且制作工艺简单，制作成本低。