一种具有超结结构的VDMOS器件及其制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种具有超结结构的VDMOS器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN201810162803.5	申请日	-
公开（公告）号	CN108365010B	公开（公告）日	2021-08-24
申请公布号	CN108365010B	申请公布日	2021-08-24
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	王海韵;储团结;丛艳欣;李亚娜	申请（专利权）人	天津中科先进技术产业有限公司
代理机构	北京天奇智新知识产权代理有限公司	代理人	龙涛
地址	300392天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰发展六道3号星企一号创新工场研发中心301
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种具有超结结构的VDMOS器件及其制作方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。N+区的内表面向中央区延伸为P‑体区，PN交替超结区位于N+区的中央区的两侧、N+区与P‑体区之间，P‑体区的上表面与PN交替超结区相连接处设有N+源区。该技术方案通过采用多层结构的PN交替超结区，提高了VDMOS器件单位面积内耐压能力，将传统MOS器件的漏极与源极之间间隔的外延层内部引入高掺杂的N+区，降低了外延层的电阻率，进而减小了VDMOS器件导通电阻，进而缓解了现有技术存在的结构耐压程度差、导通电阻大的技术问题。