具有耐压结构的半导体器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810150711.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108376708A | 公开（公告）日 | 2018-08-07 |
| 申请公布号 | CN108376708A | 申请公布日 | 2018-08-07 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王振海 | 申请（专利权）人 | 天津中科先进技术产业有限公司 |
| 代理机构 | 天津市尚文知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张东浩 |
| 地址 | 300392 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰发展六道3号星企一号创新工场研发中心301 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种具有耐压结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、耐压氧化层、多晶硅区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。其中，耐压氧化层分别设置在N+区的中央区的两侧，且分别与N+区的侧边区相贴合，耐压氧化层为凹形氧化层，多晶硅区填充在耐压氧化层凹形区域内。该技术方案缓解了现有技术存在的器件结构耐压性能差的技术问题，有效保证了器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。 |
