一种半导体硅片的减薄制造工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种半导体硅片的减薄制造工艺

基本信息

申请号	CN200710042805.2	申请日	-
公开（公告）号	CN100514568C	公开（公告）日	2009-07-15
申请公布号	CN100514568C	申请公布日	2009-07-15
分类号	H01L21/30(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	王新	申请（专利权）人	华人创新集团上海科技有限公司
代理机构	上海京沪专利代理事务所（普通合伙）	代理人	上海华微科技有限公司;吉林华微电子股份有限公司
地址	200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种半导体硅片的减薄制造工艺，先将二块硅片正面互粘呈一体，然后用现有的常规减薄加工方法对互粘呈一体的硅片视作为一块加工处理，对二个背面分别进行金属化处理后放置于溶胶液中，经溶胶后自然分离，得到二块分立的薄型硅片。由于可在二块硅片正常切割厚度的状态下先加工并金属化处理正面，后在互相粘合状态下利用常规加工方法进行背面的减薄和金属化处理，不仅使硅片的成品厚度可以减薄到现有加工方法中单块的一半厚度，彻底改变以往不能加工出150μm以下硅片的状况，而且二块硅片在粘合状态下同时进行减薄和背面金属化处理，有利于提高工作效率和成品率，与现有技术的加工方法相比，至少可提高30％，且可充分利用现有的技术设施和加工手段，有很强的可操作性和实用性。