一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版
基本信息
| 申请号 | CN202020766860.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212209483U | 公开（公告）日 | 2020-12-22 |
| 申请公布号 | CN212209483U | 申请公布日 | 2020-12-22 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈桥梁;刘挺;王新;楼颖颖;杨乐 | 申请（专利权）人 | 旭矽半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 龙腾半导体股份有限公司;旭矽半导体（上海）有限公司 |
| 地址 | 710018陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路1号出口加工区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种降低晶圆应力的屏蔽栅沟槽MOSFET的掩膜版，所述掩膜版包含由不同走向沟槽的芯片组成的芯片矩阵；所述芯片矩阵内包含两种芯片，其芯片尺寸面积和设计相同，仅沟槽走向不同，两者的沟槽走向相互垂直。本实用新型将晶圆生产中产生的应力通过不同图形的排布相互抵消，实现较少减薄至200微米以下时，晶圆水平方向的翘曲度，便于后续的晶圆封装和晶圆测试的自动化作业，减少碎片引入的损失和沾污。 |
