半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910388321.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110098110B | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN110098110B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L21/04;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄海涛;张永熙;陈伟 | 申请（专利权）人 | 上海瞻芯电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新宇 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区南汇新城镇海洋一路333号8号楼3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及半导体器件及其形成方法，所述方法包括：在碳化硅外延层形成第一介质层；通过第一介质层对碳化硅外延层进行第一剂量及第一能量的第一离子注入，形成半导体器件的结型场效应晶体管JFET注入区域；通过第一介质层及JFET注入区域形成半导体器件的体区域及源区域；在第一介质层上依次形成第二介质层及光刻胶层；对光刻胶层及第二介质层进行光刻处理，形成P型延伸PET注入区域；通过PET注入区域进行第二剂量及第二能量的第二离子注入，形成半导体器件的PET区域；利用JFET注入区域、体区域、源区域及PET区域形成半导体器件。本公开可以减少形成半导体器件的工艺流程，节约制造半导体器件的成本。 |
