一种光有源器件EMI电磁屏蔽装置

基本信息

申请号 CN201920858718.2 申请日 -
公开(公告)号 CN210183792U 公开(公告)日 2020-03-24
申请公布号 CN210183792U 申请公布日 2020-03-24
分类号 H05K9/00(2006.01)I 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 伏春;廖强 申请(专利权)人 成都鸿芯光电通信有限公司
代理机构 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 代理人 刘冬静
地址 610041四川省成都市高新区天府四街66号航兴国际2号楼1502
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种光有源器件EMI电磁屏蔽装置,该装置包括安装在光有源器件外部的第一屏蔽件和第二屏蔽件,所述第一屏蔽件和第二屏蔽件的两端通过错位搭接结构固定连接。本实用新型利用第一屏蔽件与第二屏蔽件的错位搭接结构对电磁波信号进行折射,使得电磁波信号得到大量衰减;同时在光有源器件外表面设置导电层,有效实现EMI电磁屏蔽,具有结构简单、适用性好等优点。