双极晶体管的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711366210.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108109913B | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN108109913B | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H01L21/331;H01L29/735 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种双极晶体管及的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层；在所述N型外延层上形成氧化硅层，形成贯穿所述氧化硅层的开口；在所述开口的侧壁形成氮化硅侧墙，使得所述氮化硅侧墙围成第一刻蚀窗口；利用所述第一刻蚀窗口进行光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成氧化物；对所述氧化硅层进行光刻及刻蚀，形成由所述氮化硅侧墙与氧化硅层围成的第二刻蚀窗口；利用所述第二刻蚀窗口对所述N型外延层进行光刻及刻蚀，从而形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱沟槽；去除所述氧化硅层及氮化硅侧墙，在所述N阱沟槽中填充多晶硅从而形成N型阱区。 |
