叠加三维晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711317038.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108109965B | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN108109965B | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01L21/822;H01L21/8234 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区琼宇路2号特发信息科技大厦15楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种叠加三维晶体管的制作方法，包括：提供SOI基底，所述SOI基底包括背衬底、氧化埋层和顶层硅；对所述SOI基底进行刻蚀来形成叠加鳍部结构；在所述背衬底形成绝缘材料，所述绝缘材料包围所述叠加鳍部结构；对所述绝缘材料进行刻蚀，以使所述叠加鳍部结构暴露出来并在所述背衬底表面形成绝缘层；在所述叠加鳍部结构表面形成栅介质层；在所述栅介质层周围形成栅极。本发明还提供一种根据上述制作方法制作而成的叠加三维晶体管。本发明挺的叠加三维晶体管及其制作方法可以提高半导体芯片的器件集成度并有效降低成本。 |
