沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711397391.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108054210B | 公开（公告）日 | 2021-10-26 |
| 申请公布号 | CN108054210B | 申请公布日 | 2021-10-26 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、P型体区、第一沟槽及第二沟槽；在所述第一及第二沟槽中的栅氧化层上及所述P型体区上形成多晶硅；对所述多晶硅进行热处理，使得所述多晶硅中的N型杂质进入所述P型体区邻近所述多晶硅的表面，从而在所述P型体区邻近所述多晶硅的表面形成N型源区，并且所述沟槽外侧的多晶硅被氧化为位于所述N型源区上的二氧化硅；形成贯穿所述第一与第二沟槽两侧的二氧化硅及N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；形成正面金属层与背面金属。 |
