一种超结平面栅极功率MOSFET的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111469699.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114188399A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114188399A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高阳 | 申请（专利权）人 | 深圳市顾邦半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华创智道知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 周倩 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区侨香路金迪世纪大厦A栋1502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种仅需要4层光掩模的超结平面栅极功率MOSFET的制造方法。该制造方法可以获得低导通电阻以及更低的栅极电荷。因此可以得到更优的品质因数（FOM）。与传统垂直型的VDMOS制造方法的主要区别是超结的p柱是在n‑外延层中通过原位选择外延生长（insitu‑SEG）而形成，p柱与n型外延的掺杂浓度因此而达到电荷平衡，平面栅极长度也能够做到最小化以减少沟道电阻和栅极电荷。此外，与现有的制造方法普遍需要6层光掩模的方案相比，本发明还能提高制造效率，降低制造成本。 |
