一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111627688.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114284148A | 公开（公告）日 | 2022-04-05 |
| 申请公布号 | CN114284148A | 申请公布日 | 2022-04-05 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨晓鸾;许生根 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，涉及一种微沟槽栅IGBT正面的制作方法。本发明在接触孔光刻及刻蚀后进行P型重掺杂区的光刻及注入激活，一方面在接触孔刻蚀后进行P型重掺杂区光刻再注入P型重掺杂区，可以结合接触孔的形貌有效控制P型重掺杂区与N型重掺杂区的间距，从而改善阈值分布一致性；另一方面，P型重掺杂区的光刻及注入激活放在接触孔刻蚀后，P型重掺杂区光刻版上的形貌设置可以大于实际要注入到硅中的P型重掺杂区，还避免了现有工艺中在接触孔光刻及刻蚀前进行P型重掺杂区注入，P型重掺杂区需要注入区域小，光刻工艺波动会对P型重掺杂区注入产生较大影响的风险，从而提高了器件的可制作性。 |
