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压接式IGBT器件正面金属电极结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201711017467.7 申请日 -
公开（公告）号 CN107818916B 公开（公告）日 2020-03-17
申请公布号 CN107818916B 申请公布日 2020-03-17
分类号 H01L21/285 分类 基本电气元件;
发明人 金锐;许生根;杨晓鸾;姜梅;董少华;崔磊 申请（专利权）人 江苏中科君芯科技有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 韩凤
地址 102200 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种压接式IGBT器件正面压接金属电极结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的IGBT晶圆；步骤2、将金属淀积基片键合在连接金属电极层上；步骤3、在上述金属淀积基片上方淀积所需的金属，所述淀积的金属通过金属淀积图形与连接金属电极层电连接；步骤4、将金属淀积基片与连接金属电极层分离；步骤5、在上述IGBT晶圆正面制备所需的钝化层。本发明工艺步骤简单，与现有工艺兼容，能有效实现压接式IGBT器件正面上压接金属电极层的制备，可以省掉压接式IGBT器件上压接金属电极层的光刻加工工序，有效缩短压接式IGBT器件的加工周期，降低加工成本，安全可靠。