具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710827906.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107644903B | 公开（公告）日 | 2020-03-17 |
| 申请公布号 | CN107644903B | 申请公布日 | 2020-03-17 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/10 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金锐;杨晓鸾;许生根;姜梅;董少华;崔磊 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 国家电网公司;全球能源互联网研究院;江苏中科君芯科技有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院 |
| 地址 | 102200 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法，其元胞区内的元胞包括两个相邻的元胞沟槽，所述两相邻元胞沟槽相邻外侧壁上方设置第二导电类型第一体区，所述第二导电类型第一体区与相应元胞沟槽的侧壁接触，所述两相邻元胞沟槽间相互远离的外侧壁上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽侧壁接触，在制作第二导电类型第一体区时，只需要对第一导电类型源区注入的光刻版进行调整即可，在不影响IGBT器件的耐压和寄生电容情况下，降低沟槽栅IGBT的沟道密度，降低饱和电流，有效提高沟槽栅IGBT器件的抗短路能力，结构紧凑，与现有工艺兼容，安全可靠。 |
