均热沟槽栅IGBT的制作工艺及均热沟槽栅IGBT结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

均热沟槽栅IGBT的制作工艺及均热沟槽栅IGBT结构

基本信息

申请号	CN202111635315.X	申请日	-
公开（公告）号	CN114334648A	公开（公告）日	2022-04-12
申请公布号	CN114334648A	申请公布日	2022-04-12
分类号	H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李哲锋;訾彤彤;许生根;杨晓鸾;孔凡标;李磊	申请（专利权）人	江苏中科君芯科技有限公司
代理机构	无锡市大为专利商标事务所（普通合伙）	代理人	曹祖良
地址	214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层
法律状态	-

摘要

本发明提供一种均热沟槽栅IGBT结构，包括：一个有效IGBT元胞和一个栅极热敏控制单元；所述有效IGBT元胞设置为沟槽栅型IGBT元胞；所述栅极热敏控制单元包括两个热敏电阻和两个二极管；其中一个热敏电阻和一个二极管串联形成第一串联支路用于控制栅极开通速度，第一串联支路的一端连接沟槽栅，另一端连接栅极金属；其中另一个热敏电阻和另一个二极管反向串联形成第二串联支路用于控制栅极关断速度，第二串联支路的一端连接沟槽栅，另一端连接栅极金属。本发明通过独立设置的沟槽栅以及热敏栅电阻，实现了单个元胞根据自身温度自行调节开关速度，使温度高的元胞降低损耗，从而达到降低自身结温的目的。对于整个IGBT芯片来说实现了热均衡。