一种沟槽栅IGBT器件
基本信息
| 申请号 | CN202111630323.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114420752A | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 申请公布号 | CN114420752A | 申请公布日 | 2022-04-29 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许生根;李哲锋;訾彤彤 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件，在P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区之间引入欧姆接触介质层，通过欧姆接触介质层将P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区进行隔离，隔离后可以有效的防止P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区沿着沟槽方向的扩散，从而可以消除P+型欧姆接触区与N+型欧姆接触区之间距离不能太小的限制，降低阈值电压变化的风险，提升器件的导通电流和RBSOA能力。同时，由于欧姆接触介质层的存在，设计上不需要考虑器件的P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区扩散对IGBT沟道宽度的影响，降低了设计难度和风险，能够解决现有技术中P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区的间距对IGBT器件性能影响折中关系，提高IGBT器件的性能，降低IGBT的设计中的风险。 |
