横向RC-IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810960333.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148293B | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 申请公布号 | CN109148293B | 申请公布日 | 2022-04-22 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨珏琳 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 韩凤 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种横向RC‑IGBT器件及其制造方法，其集电极结构包括第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及第一导电类型集电区；连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。本发明与现有工艺兼容，能有效抑制横向RC‑IGBT器件的负阻现象，提高IGBT器件的可靠性。 |
