一种快恢复二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111654536.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114300544A | 公开（公告）日 | 2022-04-08 |
| 申请公布号 | CN114300544A | 申请公布日 | 2022-04-08 |
| 分类号 | H01L29/868（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李磊;许生根 | 申请（专利权）人 | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈丽丽;曹祖良 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2栋五层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快恢复二极管，其中，包括：N型衬底材料层，N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层，第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层，第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。本发明还公开了一种快恢复二极管的制作方法。本发明提供的快恢复二极管能够提升可靠性。 |
