一种高磁导率低涡流损耗绝缘粉末及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高磁导率低涡流损耗绝缘粉末及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110471702.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113314326A	公开（公告）日	2021-08-27
申请公布号	CN113314326A	申请公布日	2021-08-27
分类号	H01F41/02（2006.01）I;H01F1/147（2006.01）I;H01F1/24（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李伟健;段金柱;邢冰冰;盖鹏祥;缪思敏	申请（专利权）人	天通控股股份有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	314412浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高磁导率低涡流损耗绝缘粉末及其制备方法。该粉末的原始合金组成物的原子比满足下式：Fe100‑x‑ySixMy，其中M为Cr、Al、Co、Ni、Mo、B中的一种或几种。该成分的配方具有较高的磁导率，制备方法包括熔炼、雾化制粉、浆料分散、雾化干燥、筛分、合批，其中雾化工序使用的高压液体为具有优秀的吸附性、绝缘性、热稳定性、增稠性、韧性的试剂溶液，通过二次雾化干燥，这些试剂可以有效的黏附在粉末表面，完成包覆工艺，提升粉末电阻率，进而降低粉末及产品的涡流损耗。本发明的优点在于，将传统水雾化制粉工艺与粉末钝化工艺结合在一起，减少中间工艺与过程，大幅节约成本，且包覆效果良好、操作简单，适应于粉末的批量生产。